From 0a44d7d03c8d5481c9782238ce1be8afdc9e5318 Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: Pierre-antoine Comby Date: Tue, 22 Jan 2019 17:52:30 +0100 Subject: [PATCH] tikz >all --- .../cours/chap1.tex | 75 ++++++++++++++++++- 1 file changed, 73 insertions(+), 2 deletions(-) diff --git a/433-Electronique_transmission_numerique/cours/chap1.tex b/433-Electronique_transmission_numerique/cours/chap1.tex index a3b8f0c..b7ad5f4 100644 --- a/433-Electronique_transmission_numerique/cours/chap1.tex +++ b/433-Electronique_transmission_numerique/cours/chap1.tex @@ -216,7 +216,26 @@ donc finalement Dans la réalité, la valeur échantillonnée est conservée sur un temps de blocage $\tau \leq T_e$. En pratique, $\tau = T_e$.\\ -%\img{0.5}{1/9.png} + +\begin{figure}[H] + \centering + \begin{tikzpicture} + \begin{axis} + [axis lines = middle, width=8cm, + xmin=0,xmax = 10,ymin=-2,ymax=3, + ytick =\empty, ylabel={{\color{blue}$x_c(t)$}, {\color{red}$x_E(t)$}}, + xtick = {3,6,9},xticklabels={$T_e$,$2T_e$,$3T_e$}, + x tick label style={xshift={-mod(\ticknum,2)*1em}}] + \addplot+[smooth,no marks] plot coordinates{(0,2) (2,1.5) (3,1) (4,1) (5,-1.5)(6,-1.5)(7,0)(9,1)}; + + \addplot+[no marks, red] plot coordinates + {(0,2) (3,2) (3,1) (6,1) (6,-1.5) (9,-1.5)}; + \end{axis} + \end{tikzpicture} + \caption{Echantillonneur bloqueur} +\end{figure} + + On écrit donc \[ x_E(t) = \snzi x_c(nT_e)P_{\tau}(t-nT_e), \quad P_{\tau} \text{ fonction porte } P_{\tau} (t) = \begin{cases} 1 & \text{ si } 0 \leq t \leq \tau\\ @@ -303,10 +322,17 @@ La conductivité (donc résistivité) du canal est contrôlée par $V_{GS}$. L'a \end{itemize} -\includegraphics[width=0.5\textwidth]{1/12.png} +%\includegraphics[width=0.5\textwidth]{1/12.png} \paragraph{Structure physique} +\begin{figure}[H] + \centering + + \caption{Structure interne d'un transistor mos} +\end{figure} + + Les 2 zones de Si dopées N sont des réservoirs à électrons, séparées par la longueur de la grille $L_G$, par une zone de Si dopée P où les porteurs de courant sont des trous (charges positives). À l'interface P/N il y a une barrière d'énergie potentielle qui empêche les électrons de passer dans la zone P et les trous dans la zone N. @@ -421,6 +447,51 @@ Les interrupteur CMOS sont intégrables sur silicium en même temps que la capac En effectuant la transformée de Fourier de ce signal on a: \[X_E(f) = TF(x_E(t)) = (F_e \sum_{n=-\infty}^{\infty} X_C(f-nF_e)).\tau exp(-j\pi f \tau)sinc(\pi f \tau)\] On fait attention à ce que $F_e$ vérifie la condition de Shannon. $F_e$ doit être supérieure au double de la fréquence maximale du spectre de $x_C(t)$.\\ +\begin{figure}[H] + \centering + \begin{subfigure}{0.5\textwidth} + \centering + \begin{tikzpicture} + \begin{axis}% + [axis lines = middle, + height = 5cm, + xlabel = {$f$}, + ylabel = {$|X_c(f)|$}, + xmin = -7 ,xmax = 7, ymin = -0.1, ymax = 1.5, + xtick = {-5.5,5.5}, + xticklabels = {$-F_M$, $+F_M$}, + ytick=\empty] + \addplot+[no marks] plot coordinates {(-5.5,0) (-3,1) (-0.5,0) (0.5,0) (3,1) (5.5,0)}; + \end{axis} + \end{tikzpicture} + \end{subfigure}\\ + \begin{subfigure}{\textwidth} + \centering + \begin{tikzpicture} + \begin{axis} + [axis lines = middle, + height = 5cm,width=15cm, + xlabel = {$f$}, + ylabel = {$|X_e(f)|$},samples=200, + xmin = -20 ,xmax = 20, ymin = -0.1, ymax = 3.5, + xtick = {-5.5,5.5}, + xticklabels = {$-F_M$, $+F_M$}, + domain = -20:20, + ytick=\empty] + \addplot+[no marks] plot coordinates + {(-5.5,0) (-3,1) (-0.5,0) (0.5,0) (3,1) (5.5,0)}; + \addplot+[no marks,blue] plot coordinates + {(-18.5,0) (-16,0.2) (-13.5,0) (-12.5,0)(-12,0.2) (-10.5,0)(-8,0.5) (-7.5,0)}; + \addplot+[no marks,blue] plot coordinates + {(7.5,0) (8,0.5)(10.5,0)(12,0.2) (12.5,0) (13.5,0) (16,0.2) (18.5,0) + }; + \addplot+[no marks, dotted,black]{abs(3*sin(deg(x)*0.3)/(x*0.3)}; + \end{axis} + \end{tikzpicture} + + \end{subfigure} + \caption{Allure spectrale des signaux} +\end{figure} \end{document}