parameters (unit) hp lstp lop lp-dram comm-dram -C_g_ideal (F/um) 1.328e-15 0 0 0 0 -C_fringe (F/um) 1.6e-16 0 0 0 0 -C_junc (F/um^2) 2e-15 0 0 0 0 -C_junc_sw (F/um^2) 2.5e-16 2.5e-16 2.5e-16 2.5e-16 2.5e-16 -l_phy (um) 0.12 0 0 0 0 -l_elec (um) 0.1 0 0 0 0 -nmos_effective_resistance_multiplier (-) 1.54 0 0 0 0 -Vdd (V) 1.5 0 0 0 0 -Vth (V) 0.4407 0 0 0 0 -Vdsat (V) 0.256 0 0 0 0 -I_on_n (A/um) 0.00075 0 0 0 0 -I_on_p (A/um) 0.00035 0 0 0 0 parameters (unit) temp hp lstp lop lp-dram comm-dram -I_off_n (A/um) 0 7e-10 0 0 0 0 -I_off_n (A/um) 10 8.26e-10 0 0 0 0 -I_off_n (A/um) 20 9.74e-10 0 0 0 0 -I_off_n (A/um) 30 1.15e-09 0 0 0 0 -I_off_n (A/um) 40 1.35e-09 0 0 0 0 -I_off_n (A/um) 50 1.6e-09 0 0 0 0 -I_off_n (A/um) 60 1.88e-09 0 0 0 0 -I_off_n (A/um) 70 2.29e-09 0 0 0 0 -I_off_n (A/um) 80 2.7e-09 0 0 0 0 -I_off_n (A/um) 90 3.19e-09 0 0 0 0 -I_off_n (A/um) 100 3.76e-09 0 0 0 0 -I_g_on_n (A/um) 0 1.65e-10 0 0 0 0 -I_g_on_n (A/um) 10 1.65e-10 0 0 0 0 -I_g_on_n (A/um) 20 1.65e-10 0 0 0 0 -I_g_on_n (A/um) 30 1.65e-10 0 0 0 0 -I_g_on_n (A/um) 40 1.65e-10 0 0 0 0 -I_g_on_n (A/um) 50 1.65e-10 0 0 0 0 -I_g_on_n (A/um) 60 1.65e-10 0 0 0 0 -I_g_on_n (A/um) 70 1.65e-10 0 0 0 0 -I_g_on_n (A/um) 80 1.65e-10 0 0 0 0 -I_g_on_n (A/um) 90 1.65e-10 0 0 0 0 -I_g_on_n (A/um) 100 1.65e-10 0 0 0 0 parameters (unit) hp lstp lop lp-dram comm-dram -C_ox (F/um^2) 3.58e-14 0 0 0 0 -t_ox (um) 0.0024 0 0 0 0 -n2p_drv_rt (-) 2.45 0 0 0 0 -lch_lk_rdc (-) 1 0 0 0 0 -Mobility_n (um^2/V.sec) 3.0216e+10 0 0 0 0 -gmp_to_gmn_multiplier (-) 1.22 0 0 0 0 -vpp (V) 0 0 0 0 0 SRAM parameters cell_type hp lstp lop lp-dram comm-dram -Wmemcella (um) 0 1.31 1.31 1.31 1.31 1.31 -Wmemcellpmos (um) 0 1.23 1.23 1.23 1.23 1.23 -Wmemcellnmos (um) 0 2.08 2.08 2.08 2.08 2.08 -area_cell (um^2) 0 146 146 146 146 146 -asp_ratio_cell (-) 0 1.46 1.46 1.46 1.46 1.46 CAM parameters cell_type hp lstp lop lp-dram comm-dram -Wmemcella (um) 1 1.31 1.31 1.31 1.31 1.31 -Wmemcellpmos (um) 1 1.23 1.23 1.23 1.23 1.23 -Wmemcellnmos (um) 1 2.08 2.08 2.08 2.08 2.08 -area_cell (um^2) 1 292 292 292 292 292 -asp_ratio_cell (-) 1 2.92 2.92 2.92 2.92 2.92 DRAM parameters cell_type hp lstp lop lp-dram comm-dram -vdd_cell (V) 2 0 0 0 0 0 -Wmemcella (um) 2 0 0 0 0 0 -Wmemcellpmos (um) 2 0 0 0 0 0 -Wmemcellnmos (um) 2 0 0 0 0 0 -area_cell (um^2) 2 0 0 0 0 0 -asp_ratio_cell (-) 2 0 0 0 0 0 parameters hp lstp lop lp-dram comm-dram -dram_cell_I_on (A/um) 0 0 0 0 0 -dram_cell_Vdd (V) 0 0 0 0 0 -dram_cell_C (F) 0 0 0 0 0 -dram_cell_I_off_worst_case_len_temp (A/um) 0 0 0 0 0 -logic_scaling_co_eff (-) 1.5 -core_tx_density (1/um^2) 0.245 -sckt_co_eff (-) 1.11 -chip_layout_overhead (-) 1 -macro_layout_overhead (-) 1 -sense_delay (sec) 2.8e-10 -sense_dy_power (J) 1.47e-14 parameters 0/0 0/1 0/2 0/3 1/0 1/1 1/2 1/3 -wire_pitch (um) 2.5 4 8 0 2.5 4 8 2 -barrier_thickness (um) 0.017 0.017 0.017 0 0.017 0.017 0.017 0 -dishing_thickness (um) 0 0 0 0 0 0 0.1584 0 -alpha_scatter (-) 1 1 1 0 1 1 1 0 -aspect_ratio (-) 2 2.4 2.2 0 2 2 2.2 0 -miller_value (-) 1.5 1.5 1.5 0 1.5 1.5 1.5 0 -horiz_dielectric_constant (-) 2.709 2.709 2.709 0 3.038 3.038 3.038 0 -vert_dielectric_constant (-) 3.9 3.9 3.9 0 3.9 3.9 3.9 0 -ild_thickness (um) 0.75 0.75 1.5 0 0.75 0.75 1.98 0 -fringe_cap (F/um) 1.15e-16 1.15e-16 1.15e-16 1.15e-16 1.15e-16 1.15e-16 1.15e-16 1.15e-16 -resistivity (u-ohm.m) 0.022 0.022 0.022 0.022 0.022 0.022 0.022 0.022 parameters 0/0 0/1 0/2 1/0 1/1 1/2 -wire_r_per_micron (ohm/um) 0 0 0 0 0 0 0 66.6667 -wire_c_per_micron (F/um) 0 0 0 0 0 0 0 6.51042e-16 -tsv_pitch (um) 0 0 0 0 0 0 -tsv_diameter (um) 0 0 0 0 0 0 -tsv_length (um) 0 0 0 0 0 0 -tsv_dielec_thickness (um) 0 0 0 0 0 0 -tsv_contact_resistance (ohm) 0 0 0 0 0 0 -tsv_depletion_width (um) 0 0 0 0 0 0 -tsv_liner_dielectric_cons (-) 0 0 0 0 0 0